一种防桥点蚀刻爬线异常的导电层结构

专利摘要:
本实用新型涉及触摸屏领域，具体来说是一种防桥点蚀刻爬线异常的导电层结构，所述导电层结构设置在基材上，所述导电层结构包括设置在基材上的包括第一导电层和第二导电层，所述第一导电层和第二导电层之间设有绝缘隔离层；所述绝缘隔离层侧面倾斜设置。本实用新型公开了一种防桥点蚀刻爬线异常的导电层结构，本实用新型通过优化绝缘隔离层的结构，使得绝缘隔离层边缘处倾斜设置，可以降低桥点蚀刻爬线异常的几率，从而可以改善图形的消影效果。
公开号:CN214335691U
申请号:CN202120409920.4U
申请日:2021-02-24
公开日:2021-10-01
发明作者:郑建军；余志辉；钟素文；王超；田伟；李兵；汪本超；解明强
申请人:WUHU TOKEN SCIENCES CO Ltd；
IPC主号:G06F3-041

专利说明:
[n0001] 本实用新型涉及触摸屏领域，具体来说是一种防桥点蚀刻爬线异常的导电层结构。
[n0002] 在电容触摸屏生产过程中，部分客户为了改善图形的消影效果而采用ITO Jumper结构，并且ITO2的方阻会出现≤30Ω/□的情况，生产ITO2制程时桥点处ITO2的线路会出现蚀刻异常的情况，从而导致触摸屏电容的X向极板或者Y向极板不导通。
[n0003] 目前，对于这种质量不良，将直接导致触摸屏报废，给企业造成损失；所以就需要对触摸屏进行优化设计。
[n0004] 本实用新型的目的在于克服现有技术的不足，提供一种能够防止触摸屏桥点蚀刻爬线异常的导电层结构。
[n0005] 为了实现上述目的，本实用新型采用的技术方案为：
[n0006] 一种防桥点蚀刻爬线异常的导电层结构，所述导电层结构设置在基材上，所述导电层结构包括设置在基材上的包括第一导电层和第二导电层，所述第一导电层和第二导电层之间设有绝缘隔离层；所述绝缘隔离层侧面倾斜设置。
[n0007] 所述第一导电层属于基材上方，所述绝缘隔离层覆盖在第一导电层上；所述第二导电层处于第一导电层上方，所述第二导电层通过绝缘隔离层与第一导电层相连接。
[n0008] 所述绝缘隔离层下端面贴合在基材上；所述绝缘隔离层边缘处设有倾斜面。
[n0009] 所述倾斜面与基材上表面形成的锐角不大于11度。
[n0010] 所述绝缘隔离层竖直截面呈等腰梯形。
[n0011] 本实用新型的优点在于：
[n0012] 本实用新型公开了一种防桥点蚀刻爬线异常的导电层结构，本实用新型通过优化绝缘隔离层的结构，使得绝缘隔离层边缘处倾斜设置，可以降低桥点蚀刻爬线异常的几率，从而可以改善图形的消影效果。
[n0013] 下面对本实用新型说明书各幅附图表达的内容及图中的标记作简要说明：
[n0014] 图1为本实用新型的结构示意图。
[n0015] 上述图中的标记均为：
[n0016] 1、基材，2、第一导电层，3、绝缘隔离层，4、第二导电层。
[n0017] 下面对照附图，通过对最优实施例的描述，对本实用新型的具体实施方式作进一步详细的说明。
[n0018] 一种防桥点蚀刻爬线异常的导电层结构，所述导电层结构设置在基材1上，所述导电层结构包括设置在基材1上的包括第一导电层2和第二导电层4，所述第一导电层2和第二导电层4之间设有绝缘隔离层3；所述绝缘隔离层3侧面倾斜设置；本实用新型第一导电层2和第二导电层4属于常规部件，一般是ITO导电层，在本实用新型中第一导电层2和第二导电层4之间的绝缘隔离层3可以使用压克力树脂制成；本实用新型公开了一种防桥点蚀刻爬线异常的导电层结构，本实用新型通过优化绝缘隔离层3的结构，使得绝缘隔离层3边缘处倾斜设置，使得后续再蚀刻作业时蚀刻液快速流动和减少接触时间，可以很好的降低桥点蚀刻爬线异常的几率，从而可以改善图形的消影效果。
[n0019] 作为优选的，本实用新型中所述第一导电层2属于基材1上方，所述绝缘隔离层3覆盖在第一导电层2上；所述第二导电层4处于第一导电层2上方，所述第二导电层4通过绝缘隔离层3与第一导电层2相连接；绝缘隔离层3完全隔离第一导电层2和第二导电层4，避免第一导电层2和第二导电层4的连通，最终目的是为了避免第一导电层2和第二导电层4之间的干涉。
[n0020] 作为优选的，本实用新型中所述绝缘隔离层3下端面贴合在基材1上；这样的设置，可以保证绝缘隔离层3对第一导电层2的覆盖，同时可以方便绝缘隔离层3的布置和涂覆制备；另外，在所述绝缘隔离层3边缘处设有倾斜面31；这里倾斜面31的设置就是为了方便后续的蚀刻，倾斜面31与第二导电层4对应的下侧面相贴合，起到很好的安装定位作用，同时可以很好的保证后续的蚀刻，避免第二导电层4蚀刻制备时，出现蚀刻异常的问题。
[n0021] 作为优选的，本实用新型中所述倾斜面31与基材1上表面形成的锐角不大于11°；这里当绝缘隔离层3边缘处所形成的倾斜面31与基材1上表面所呈锐角小于11°时，在进行第二导电层4蚀刻制程时，桥点处第二导电层4的线路不会出现蚀刻异常的问题。
[n0022] 作为优选的，本实用新型中所述绝缘隔离层3竖直截面呈等腰梯形；这样的设置，使得绝缘隔离层3上端和下端相当于平面结构，这样可以很好的保证第一导电层2、第二导电层4与绝缘隔离层3的贴合，保证第一导电层2和第二导电层4的中间区域的平行布置，同时可以保证绝缘隔离层3对第二导电层4的支撑。
[n0023] 显然本实用新型具体实现并不受上述方式的限制，只要采用了本实用新型的方法构思和技术方案进行的各种非实质性的改进，均在本实用新型的保护范围之内。

权利要求:
Claims (5)
[0001] 1.一种防桥点蚀刻爬线异常的导电层结构，所述导电层结构设置在基材上，其特征在于，所述导电层结构包括设置在基材上的包括第一导电层和第二导电层，所述第一导电层和第二导电层之间设有绝缘隔离层；所述绝缘隔离层侧面倾斜设置。
[0002] 2.根据权利要求1所述的一种防桥点蚀刻爬线异常的导电层结构，其特征在于，所述第一导电层属于基材上方，所述绝缘隔离层覆盖在第一导电层上；所述第二导电层处于第一导电层上方，所述第二导电层通过绝缘隔离层与第一导电层相连接。
[0003] 3.根据权利要求1所述的一种防桥点蚀刻爬线异常的导电层结构，其特征在于，所述绝缘隔离层下端面贴合在基材上；所述绝缘隔离层边缘处设有倾斜面。
[0004] 4.根据权利要求3所述的一种防桥点蚀刻爬线异常的导电层结构，其特征在于，所述倾斜面与基材上表面形成的锐角不大于11度。
[0005] 5.根据权利要求3所述的一种防桥点蚀刻爬线异常的导电层结构，其特征在于，所述绝缘隔离层竖直截面呈等腰梯形。

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同族专利:

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公开号 | 公开日

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引用文献:

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公开号 | 申请日 | 公开日 | 申请人 | 专利标题

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法律状态:
2021-10-01| GR01| Patent grant|

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2021-10-01| GR01| Patent grant|

优先权:

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申请号 | 申请日 | 专利标题

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CN202120409920.4U|CN214335691U|2021-02-24|2021-02-24|一种防桥点蚀刻爬线异常的导电层结构|CN202120409920.4U| CN214335691U|2021-02-24|2021-02-24|一种防桥点蚀刻爬线异常的导电层结构|